従来の第一原理DFT計算は白金表面上での水素の吸着エネルギーを過大評価し、高精度予測ができない。そこでRPA（Random Phase Approximation）法に基づく高精度計算手法を用いることにより、実験をよく再現できることを示した。また、吸着サイトが水素原子の量子効果によって主に決まる様子を、詳細に示した[1]。
　これに加えて酸化物系半導体電極が、なぜ白金を超える酸素還元反応活性を示すのかについて、ハイスループット計算に基づいてその可能性を示すことができた[2]。この計算の定量性を高め、より現実的な不純物分布の下で計算が可能になるように、ab initio MC法を開発した[3]。ab initio MDによるアプローチが固固界面では必ずしも有効ではないが、本計算手法ではポテンシャル障壁を乗り越えて速やかに熱平衡状態をサンプリングすることができることを示した。本計算手法はポスト京のような超並列機があって初めて実行可能となるものである。